全新1200 V碳化硅MOSFET已进行优化,一起具有高可靠性与功用优势。其动态功率损耗要比1200V硅(Si)IGBT低一个数量级。第一批商品将主推光伏逆变器、不间断电源(UPS)和充电/储电体系等使用。不久的将来推出的新类型,也将为发明适用于工业变频器、医疗设备或铁路设备辅佐电源的革命性解决方案发明条件。



1200 V SiC MOSEFT选用的沟槽栅技能的一大优势在于耐久的巩固耐用性。这是因为其具有较低的工作时间失效(FIT)率和有用的短路才能,可习惯不相同的使用。得益于4 V的阈值电压(Vth)和+15 V的引荐接通阈值(VGS),这些晶体管能像IGBT相同得到操控,在发作毛病时得以安全封闭。碳化硅MOSFET能够完成高速开关,别的,英飞凌碳化硅MOSFET技能能够经过栅极电阻调理来改动开关速度,因而,能够轻松优化EMC功用。



早在上一年,英飞凌就已推出主导商品EASY 1B(半桥/Booster)以及分立器材TO-247-3pin和TO-247-4pin商品。EASY 1B渠道非常老练,是完成敏捷开关器材的抱负模块渠道。在本年的PCIM展会上,英飞凌将展出根据1200 V SiC MOSFET技能的别的模块渠道和拓扑。它们将逐渐扩展CoolSiC MOSFET的功用规模。英飞凌展出的碳化硅模块包含:

选用B6(Six-Pack)拓扑的EASY 1B:该模块的特点是老练的英飞凌模块装备,导通电阻(RDS(ON))仅45 mΩ。集成的体二极管保证低损耗续流功用。该EASY 1B适用于传动、太阳能或焊接技能领域的使用。

选用半桥拓扑的EASY 2B:这个较大的EASY器材,其功用增强,每个开关的RDS(ON)为8 mΩ。低电感模块概念是功率超越50 kW和敏捷开关使用的抱负挑选,比方太阳能逆变器、敏捷充电体系或不间断电源解决方案等。

选用半桥拓扑的62 mm:附加的半桥装备,具有更大功率,每个开关功用的RDS(ON)为6 mΩ。该模块渠道为中等功率规模体系完成低电感衔接发明了条件。这一特性合适许多使用,包含医疗设备或铁路设备的辅佐电源等。因为有很多潜在使用,英飞凌估计该模块将敏捷遍及。

供货
在2016年PCIM上推出的旗舰商品EASY 1B和两个分立器材TO-247-3pin和TO-247-4pin,本年将逐渐开端批量生产。EASY 1B半桥装备现已开端供货。为支撑其商场发布,英飞凌同步推出了多种驱动模块和演示板,这些模块和演示板也从现在起开端供货。新商品类型已开端供给样片,方案于2018年开端批量生产。了解更多信息敬请拜访:www.infineon.com/coolSiC。

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时间: 2020年04月06日 15:43 | 来源: 传说中的兄弟灬 | 编辑: 冯秀妮 | 阅读: 3942 次

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“限房价、竞地价”地块又推出五宗



同策咨询研讨部总监张雄伟以为,三季度想方设法出货,不要不好意思打乱商场节奏,不要谦让,三季度宁做“坏人”,不做老好人,只要争夺了出售成绩,取得了商场份额才能够终究被商场认可。

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10多分钟后,作业人员将试管取出,并将管里的液体滴在试纸上,随后放进了写有“兽药残留检查仪”的检查设备里。2分钟左右,检查仪打印出了检查陈述,判别效果一栏显现为“合格”。

(冯秀妮编辑《传说中的兄弟灬》2020年04月06日 15:43 )

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